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STB11NK50ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark33R1096
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.140 |
| 10+ | $2.960 |
| 100+ | $2.110 |
| 500+ | $1.850 |
| 1000+ | $1.670 |
| 2500+ | $1.460 |
| 5000+ | $1.430 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB11NK50ZT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark33R1096
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.48
Resistencia de Activación Rds(on)0.48ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STB11NK50ZT4 es un MOSFET de Poder protegido por Zener de canal N SuperMESH ™ obtenido a través de una optimización extrema de la bien establecida disposición de PowerMESH ™ basada en tiras de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacidades intrínsecas muy bajas
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.48ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
125W
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.48
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STB11NK50ZT4
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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