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STB10NK60ZT4
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 10A, D2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB10NK60ZT4
No. Parte Newark33R1094
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.420 |
| 10+ | $2.900 |
| 100+ | $2.240 |
| 500+ | $1.960 |
| 1000+ | $1.700 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB10NK60ZT4
No. Parte Newark33R1094
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.65ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.65ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd115W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia115W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STB10NK60ZT4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. Este MOSFET de potencia se desarrolló utilizando la tecnología SuperMESH™ de STMicroelectronics, lograda a través de la optimización del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de una reducción significativa en la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.65ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
115W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.65ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
115W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto