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SD2931-10W
RF FET Transistor, 125 V, 20 A, 389 W, 230 MHz, M174 RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSD2931-10WCopiar
No. Parte Newark99W9410
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSD2931-10WCopiar
No. Parte Newark99W9410
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds125V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Disipación de Potencia389W
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.230MHz
Diseño de TransistorM174
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
125V
Disipación de Potencia
389W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
M174
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Disipación de Potencia Pd
0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
230MHz
Encapsulado de Transistor RF
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Flange
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto