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SCTWA60N120G2-4
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 35 mohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA60N120G2-4
No. Parte Newark57AJ5663
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Hoja de datos técnicos
187 En Inventario
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50 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
137 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $23.480 |
| 10+ | $18.790 |
| 25+ | $18.260 |
| 60+ | $17.720 |
| 120+ | $17.190 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$23.48
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA60N120G2-4
No. Parte Newark57AJ5663
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia389
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
389
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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