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SCTWA35N65G2V
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247LL
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA35N65G2V
No. Parte Newark50AJ6010
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $13.43 |
| 10+ | $12.11 |
| 25+ | $11.85 |
| 60+ | $11.44 |
| 120+ | $11.16 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$13.43
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA35N65G2V
No. Parte Newark50AJ6010
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id45
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorHiP247LL
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia240
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2
Disipación de Potencia
240
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
45
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
Diseño de Transistor
HiP247LL
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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