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SCTH35N65G2V-7AG
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 45A, H2PAK-7
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTH35N65G2V-7AG
No. Parte Newark50AJ6008
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $16.620 |
| 10+ | $12.670 |
| 25+ | $11.930 |
| 50+ | $11.190 |
| 100+ | $10.690 |
| 250+ | $10.430 |
| 500+ | $10.210 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTH35N65G2V-7AG
No. Parte Newark50AJ6008
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id45
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2
Disipación de Potencia208
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
45
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
208
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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