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SCT070W120G3-4
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 30 A, 1.2 kV, 0.087 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT070W120G3-4
No. Parte Newark14AM7987
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 11 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $15.750 |
| 10+ | $14.950 |
| 25+ | $14.660 |
| 50+ | $13.620 |
| 100+ | $13.100 |
| 250+ | $11.890 |
| 500+ | $11.660 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$15.75
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT070W120G3-4
No. Parte Newark14AM7987
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.087
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia236
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.087
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
236
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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