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SCT055TO65G3
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-LL-8
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT055TO65G3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)22AM0337RL
Cinta adhesiva22AM0337
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $10.840 | $10.84 |
| Total Precio | $10.84 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.840 |
| 50+ | $8.000 |
| 100+ | $6.930 |
| 250+ | $6.700 |
| 500+ | $6.470 |
| 1000+ | $6.070 |
| 2500+ | $5.950 |
| 5000+ | $5.830 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT055TO65G3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)22AM0337RL
Cinta adhesiva22AM0337
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.072ohm
Diseño de TransistorTO-LL
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia234W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.072ohm
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-LL
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
234W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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