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SCT040W120G3-4
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 40A, HIP247-4
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT040W120G3-4
No. Parte Newark14AM7984
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 11 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $21.160 |
| 10+ | $19.140 |
| 25+ | $17.120 |
| 50+ | $16.030 |
| 100+ | $15.650 |
| 250+ | $15.230 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$21.16
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT040W120G3-4
No. Parte Newark14AM7984
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id40A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.054ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia312W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.054ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
312W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto