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SCT040TO65G3
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 35 A, 650 V, 0.063 ohm, TOLL
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT040TO65G3
No. Parte Newark19AM7207
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.850 |
| 10+ | $7.440 |
| 25+ | $6.800 |
| 50+ | $6.160 |
| 100+ | $5.520 |
| 250+ | $5.400 |
| 500+ | $5.270 |
| 1000+ | $5.150 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT040TO65G3
No. Parte Newark19AM7207
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id35
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.063
Diseño de TransistorTOLL
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia288
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.063
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TOLL
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
288
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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