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SCT027W65G3-4AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 650 V, 0.0393 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT027W65G3-4AG
No. Parte Newark04AM0271
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| 10+ | $17.340 |
| 25+ | $16.960 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT027W65G3-4AG
No. Parte Newark04AM0271
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0393ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia313W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0393ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
313W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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