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SCT018W65G3-4AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 55 A, 650 V, 27 mohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT018W65G3-4AG
No. Parte Newark12AM9882
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $26.080 |
| 10+ | $20.460 |
| 25+ | $19.450 |
| 60+ | $18.630 |
| 120+ | $18.180 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT018W65G3-4AG
No. Parte Newark12AM9882
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id55
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente27
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia398
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
27
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
398
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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