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SCT018H65G3AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 55 A, 650 V, 27 mohm, H2PAK
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT018H65G3AG
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)04AM0270
Cinta adhesiva04AM0270
Su número de pieza
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Opciones de embalaje
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT018H65G3AG
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)04AM0270
Cinta adhesiva04AM0270
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id55
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente27
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia385
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
27
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
385
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto