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SCT015W120G3-4AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 129 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT015W120G3-4AG
No. Parte Newark12AM9881
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT015W120G3-4AG
No. Parte Newark12AM9881
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id129
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2
Disipación de Potencia673
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
129
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
673
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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