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PD57060S-E
Transistor FET RF, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD57060S-E
No. Parte Newark45AC7469
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $47.740 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$47.74
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD57060S-E
No. Parte Newark45AC7469
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds65
Intensidad Drenador Continua Id7
Disipación de Potencia79
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Disipación de Potencia Pd79W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.945
Diseño de TransistorPowerSO-10RF
No. de Pines3Pines
Encapsulado de Transistor RFPowerSO-10RF
Temperatura de Trabajo Máx.165
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
65
Disipación de Potencia
79
Disipación de Potencia Pd
79W
Diseño de Transistor
PowerSO-10RF
Encapsulado de Transistor RF
PowerSO-10RF
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
7
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
945
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
165
Montaje de Transistor
Flange
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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