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M93S66-WMN6TP
EEPROM, 4 Kbit, 256 x 16bit, Microwire, 2 MHz, NSOIC, 8 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteM93S66-WMN6TP
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)23AH3332
Cinta adhesiva23AH3332
Rango de Producto4Kbit Microwire Serial EEPROM
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
507 En Inventario
¿Necesita más?
361 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
146 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.700 |
| 10+ | $0.657 |
| 25+ | $0.640 |
| 50+ | $0.626 |
| 100+ | $0.612 |
| 250+ | $0.594 |
| 500+ | $0.580 |
| 1000+ | $0.567 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteM93S66-WMN6TP
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)23AH3332
Cinta adhesiva23AH3332
Rango de Producto4Kbit Microwire Serial EEPROM
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria4
Configuración de Memoria256 x 16bit
Configuración Memoria EEPROM0
InterfacesMicrowire
Tipo de Interfaz de Memoria0
Frecuencia Max de Reloj2
Frecuencia de Reloj0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CINSOIC
No. de Pines8Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.5
Tensión de Alimentación Máx.5.5
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto4Kbit Microwire Serial EEPROM
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
M93S66-WMN6TP es una EEPROM de bus MICROWIRE serie de 1Kbit con protección contra escritura. Es una memoria programable borrable eléctricamente (EEPROM), a la que se accede a través del bus MICROWIRE.
- Función del dispositivo de 4Kbit (256 x 16)
- Rango de voltaje de funcionamiento de 2.5V a 5.5V, señal de listo/ocupado durante la programación
- Compatible con la interfaz serial de bus MICROWIRE
- Área protegida contra escritura definida por el usuario, el reloj de alta velocidad es de 2MHz
- Protección ESD mejorada, más de 4 millones de ciclos de escritura, más de 200 años de retención de datos
- El tiempo máximo del ciclo de borrado/escritura es de 5ms.
- Los tiempos de subida y bajada de entrada son de 50ns como máximo.
- Temperatura de funcionamiento industrial entre -40 ° C y + 85 ° C
- Encapsulado SO8
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
256 x 16bit
Interfaces
Microwire
Frecuencia Max de Reloj
2
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
8Pines
Tensión de Alimentación Máx.
5.5
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
4Kbit Microwire Serial EEPROM
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
4
Configuración Memoria EEPROM
0
Tipo de Interfaz de Memoria
0
Frecuencia de Reloj
0
Estuche / Paquete CI
NSOIC
Tensión de Alimentación Mín.
2.5
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto