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M27C512-90F6
IC, EPROM, 512KBIT, 90NS, DIP-28
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteM27C512-90F6Copiar
No. Parte Newark45P3778
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark45P3778
Hoja de datos técnicos
Densidad de Memoria512
Tamaño de la Memoria512Kbit
Configuración Memoria EPROM64K x 8bit
Configuración de Memoria64K x 8bit
No. de Pines28Pines
Estuche / Paquete CIDIP
Memoria, TipoDIP
Tensión de Alimentación Mín.4.5
Tensión de Alimentación Máx.5
IC, MontajeThrough Hole
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Tiempo de Acceso90ns
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Densidad de Memoria
512
Configuración Memoria EPROM
64K x 8bit
No. de Pines
28Pines
Memoria, Tipo
DIP
Tensión de Alimentación Máx.
5
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Tiempo de Acceso
90ns
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tamaño de la Memoria
512Kbit
Configuración de Memoria
64K x 8bit
Estuche / Paquete CI
DIP
Tensión de Alimentación Mín.
4.5
IC, Montaje
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto