Imprimir página
IRF630
N CHANNEL MOSFET, 200V, 9A, TO-220
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF630Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 54 semanas |
| No. Parte Newark | 89K1268 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
1 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.680 |
| 10+ | $1.110 |
| 100+ | $0.725 |
| 500+ | $0.688 |
| 1000+ | $0.652 |
| 2500+ | $0.615 |
| 5000+ | $0.578 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.68
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF630Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 54 semanas |
| No. Parte Newark | 89K1268 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Intensidad Drenador Continua Id | 9A |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 200V |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.4ohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.4ohm |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3V |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Disipación de Potencia Pd | 75W |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Disipación de Potencia | 75W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (15-Jan-2018) |
Alternativas para el número de pieza IRF630
2 productos encontrados
Resumen del producto
El IRF630 es un MOSFET de potencia de canal N de 200V diseñado utilizando el proceso MESH OVERLAY™ basado en la disposición de tira consolidada de la compañía. Esta tecnología combina y mejora los rendimientos en comparación con las piezas estándar de diversas fuentes.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidades intrínsecas muy bajas
- Carga de puerta minimizada
- Voltaje de drenaje a fuente de 200V
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Resistencia térmica de 62.5°C/W, unión a ambiente
Aplicaciones
Administración de Potencia
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 9A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.4ohm |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Disipación de Potencia | 75W |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 200V |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.4ohm |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3V |
| Disipación de Potencia Pd | 75W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (15-Jan-2018) |
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (15-Jan-2018) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |