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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteIRF630Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark89K1268
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $1.110 |
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| 500+ | $0.688 |
| 1000+ | $0.652 |
| 2500+ | $0.615 |
| 5000+ | $0.578 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteIRF630Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark89K1268
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id9A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.4ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.4ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd75W
Diseño de TransistorTO-220
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia75W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Alternativas para el número de pieza IRF630
2 productos encontrados
Resumen del producto
El IRF630 es un MOSFET de potencia de canal N de 200V diseñado utilizando el proceso MESH OVERLAY™ basado en la disposición de tira consolidada de la compañía. Esta tecnología combina y mejora los rendimientos en comparación con las piezas estándar de diversas fuentes.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidades intrínsecas muy bajas
- Carga de puerta minimizada
- Voltaje de drenaje a fuente de 200V
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Resistencia térmica de 62.5°C/W, unión a ambiente
Aplicaciones
Administración de Potencia
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.4ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
75W
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.4ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
75W
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificado de conformidad del producto
