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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteDA112S1RL
No. Parte Newark05X9912
Rango de ProductoDA1
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.793 |
| 10+ | $0.680 |
| 100+ | $0.572 |
| 500+ | $0.505 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteDA112S1RL
No. Parte Newark05X9912
Rango de ProductoDA1
Hoja de datos técnicos
Rango de ProductoDA1
Polaridad TVSUnidirectional
Voltaje de Separación Reverso-
Voltaje de Bloqueo Máx.-
Estilo de la Carcasa del DiodoSOIC
No. de Pines8Pines
Voltaje de Ruptura Mínimo-
Voltaje de Ruptura Máximo-
Disipación de Potencia Máxima de Impulso-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Montaje del DiodoSurface Mount
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The DA1 series general purpose ESD Protection Diode Array of 8 or 12 diodes configured by cells of 2 diodes, each cell being used to protect signal line from transient over-voltages by clamping action. As maximum voltage of each diode is 18 V, maximum input voltage range between 2-I/O is either 0 to 18V.
- Suitable for digital line protection
- Low input capacitance
- Protection of logic side of ISDN S-interface
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
DA1
Voltaje de Separación Reverso
-
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOIC
Voltaje de Ruptura Mínimo
-
Disipación de Potencia Máxima de Impulso
-
Montaje del Diodo
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Polaridad TVS
Unidirectional
Voltaje de Bloqueo Máx.
-
No. de Pines
8Pines
Voltaje de Ruptura Máximo
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Trazabilidad del producto