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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBDX53B
No. Parte Newark25M7710
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Disipación de Potencia Pd60W
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua8A
Corriente de Colector DC8A
Disipación de Potencia60W
Encapsulado de Transistor RFTO-220
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE750hFE
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.750hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BDX53B es un transistor Darlington de potencia complementaria NPN fabricado con tecnología Planar Base Island. Ofrece una configuración Darlington monolítica con diodo colector-emisor antiparalelo integrado.
- Buena linealidad hFE
- Alta frecuencia fT
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Frecuencia de Transición
-
Corriente de Colector DC
8A
Encapsulado de Transistor RF
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
750hFE
Montaje de Transistor
Through Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
750hFE
Calificación
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Disipación de Potencia Pd
60W
Corriente del Colector Continua
8A
Disipación de Potencia
60W
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
TO-220
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BDX53B
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto