Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBD679
No. Parte Newark24M0737
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
573 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.85 |
| 10+ | $0.42 |
| 100+ | $0.38 |
| 500+ | $0.30 |
| 1000+ | $0.28 |
| 2500+ | $0.26 |
| 10000+ | $0.22 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$4.26
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBD679
No. Parte Newark24M0737
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua4A
Disipación de Potencia Pd40
Corriente de Colector DC4
Disipación de Potencia40W
Encapsulado de Transistor RFSOT-32
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-32
Ganancia de Corriente DC hFE750
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.750hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BD679 is a 60V Silicon NPN Complementary Power Darlington Transistor manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Monolithic Darlington configuration with integrated anti parallel collector-emitter diode. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80
Corriente del Colector Continua
4A
Corriente de Colector DC
4
Encapsulado de Transistor RF
SOT-32
Diseño de Transistor
SOT-32
Montaje de Transistor
Through Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
750hFE
Calificación
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia Pd
40
Disipación de Potencia
40W
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
750
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto