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BD140
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -80 V, 1.25 W, -1.5 A, 250 RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBD140
No. Parte Newark33X4080
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.700 |
| 10+ | $0.489 |
| 100+ | $0.277 |
| 500+ | $0.210 |
| 1000+ | $0.188 |
| 2500+ | $0.171 |
| 10000+ | $0.139 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBD140
No. Parte Newark33X4080
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua1.5A
Disipación de Potencia1.25W
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorSOT-32
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.250hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
1.5A
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Through Hole
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
250hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
1.25W
Diseño de Transistor
SOT-32
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BD140
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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