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A2U12M12W2-F2
MOSFET de carburo de silicio, Inversor de tres niveles, Cuatro Canales N, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteA2U12M12W2-F2
No. Parte Newark33AK8545
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $206.230 |
| 5+ | $201.860 |
| 10+ | $197.490 |
| 36+ | $193.130 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteA2U12M12W2-F2
No. Parte Newark33AK8545
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETThree Level Inverter
Tipo de CanalFour N Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id75
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorACEPACK 2
No. de Pines29Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Three Level Inverter
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
29Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
Four N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013
Diseño de Transistor
ACEPACK 2
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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