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2STR2160
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte Fabricante2STR2160
No. Parte Newark45AC8085
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.637 |
| 10+ | $0.418 |
| 25+ | $0.381 |
| 50+ | $0.344 |
| 100+ | $0.299 |
| 250+ | $0.252 |
| 500+ | $0.206 |
| 1000+ | $0.174 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte Fabricante2STR2160
No. Parte Newark45AC8085
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Voltaje Máx. Colector a Emisor60
Corriente del Colector Continua1
Corriente de Colector DC1A
Disipación de Potencia500
Disipación de Potencia Pd500mW
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE45hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.45
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60
Corriente de Colector DC
1A
Disipación de Potencia Pd
500mW
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
45
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Corriente del Colector Continua
1
Disipación de Potencia
500
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
45hFE
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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