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GD800HFX170C3S
IGBT MODULE, 1.7KV, 800A ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD800HFX170C3S
No. Parte Newark25AK0637
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 29 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $581.380 |
| 5+ | $575.470 |
| 16+ | $569.730 |
| 32+ | $546.540 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$581.38
nota de línea
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD800HFX170C3S
No. Parte Newark25AK0637
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua800A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Tecnología IGBTTrench
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
800A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
Trench
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto