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GD75HFX170C1S
IGBT MODULE, 1.7KV, 139A
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD75HFX170C1SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark25AK0633
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $69.360 |
| 5+ | $66.640 |
| 10+ | $63.890 |
| 25+ | $61.090 |
| 50+ | $58.080 |
| 100+ | $57.180 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD75HFX170C1SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark25AK0633
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua139A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia559W
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Tecnología IGBTTrench
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
139A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
559W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
Trench
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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