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GD150HFX65C1S
IGBT, HALF BRIDGE, 650V, 180A, MODULE
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD150HFX65C1SCopiar
No. Parte Newark84AH5713
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $58.250 |
| 5+ | $57.090 |
| 10+ | $55.870 |
| 48+ | $55.270 |
| 72+ | $54.680 |
| 120+ | $52.290 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD150HFX65C1SCopiar
No. Parte Newark84AH5713
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua180A
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.45V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia437W
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
437W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
180A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.45V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto