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SI8275DB-IM1
MOSFET/IGBT/SIC DRIVER, -40 TO 125DEG C
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FabricanteSILICON LABS
No. Parte FabricanteSI8275DB-IM1Copiar
No. Parte Newark22AJ0467
Rango de ProductoSi827x
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteSILICON LABS
No. Parte FabricanteSI8275DB-IM1Copiar
No. Parte Newark22AJ0467
Rango de ProductoSi827x
Hoja de datos técnicos
No. de Canales1Canales
Tipo de Controlador de CompuertaIsolated
Configuración del Controlador-
Tipo de Interruptor de PotenciaIGBT, MOSFET, SiC MOSFET
Tipo de Controlador0
No. de Pines14Pines
Estuche / Paquete CIQFN
IC, MontajeSurface Mount
Tipo de Entrada-
Corriente Fuente-
Corriente Sumidero-
Tensión de Alimentación Mín.2.5V
Tensión de Alimentación Máx.5.5V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Retardo de Entrada30ns
Retardo de Salida30ns
Rango de ProductoSi827x
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2 - 1 year
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
No. de Canales
1Canales
Configuración del Controlador
-
Tipo de Controlador
0
Estuche / Paquete CI
QFN
Tipo de Entrada
-
Corriente Sumidero
-
Tensión de Alimentación Máx.
5.5V
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Retardo de Salida
30ns
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Controlador de Compuerta
Isolated
Tipo de Interruptor de Potencia
IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
No. de Pines
14Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Corriente Fuente
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.5V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Retardo de Entrada
30ns
Rango de Producto
Si827x
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2 - 1 year
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto