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SKM75GB12V
IGBT, HALF BRIDGE, 1.2KV, 114A, MODULE
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $127.980 |
| 5+ | $121.580 |
| 16+ | $117.740 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM75GB12V
No. Parte Newark55X3203
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente del Colector Continua114
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPerno
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTV-IGBT
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Medio Puente
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Terminación del IGBT
Perno
Tecnología IGBT
V-IGBT
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
114
Disipación de Potencia
-
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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