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SKM200GB12T4
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM200GB12T4
No. Parte Newark55X3192
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| Cantidad | Precio |
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM200GB12T4
No. Parte Newark55X3192
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua313A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.8V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 Fast [Trench]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
313A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.8V
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
IGBT 4 Fast [Trench]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SKM200GB12T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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