313A Módulos IGBT | Newark Electrónica

Encuentre una amplia gama de 313A Módulos IGBT en Newark Electrónica. Disponemos de una amplia gama de Módulos IGBT, como 50, 100, 75 & 100A Módulos IGBT de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Semikron.

Filtros aplicados

Corriente del Colector Continua

:

313A

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

1 Filtros seleccionados

Comparar					Precio para		Quantity

	SKM200GB12E4	55X3191 Data Sheet RoHS Fecha y lote	SEMIKRON IGBT MODULE 1.2 KV 313 A MODULE		Cada	1+ $253.340		Half Bridge	313A	1.8V	175°C	Module	Stud	1.2kV	IGBT 4 [Trench]	Panel
	SKM200GB12T4	55X3192 Data Sheet RoHS Fecha y lote	SEMIKRON IGBT Array & Module Transistor Dual N Channel 313 A 1.8 V 1.2 kV Module RoHS Compliant: Yes		Cada	1+ $251.170		Half Bridge	313A	1.8V	175°C	Module	Stud	1.2kV	IGBT 4 Fast [Trench]	Panel

Artículos por página:

1-2 de 2 artículos

de 1 páginas

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS