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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM195GB066D
No. Parte Newark55X3190
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $155.720 |
| 5+ | $154.160 |
| 16+ | $152.600 |
| 32+ | $151.040 |
| 56+ | $149.480 |
| 104+ | $147.930 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$155.72
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM195GB066D
No. Parte Newark55X3190
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua265A
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.45V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Tecnología IGBTIGBT 3 [Trench]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.45V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente del Colector Continua
265A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Trench]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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