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SKM150MLI066 T
Módulo IGBT, Inversor de tres niveles, 200 A, 600 V, 175 °C, SEMITRANS 5
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semanas
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM150MLI066 TCopiar
No. Parte Newark77R2554
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTInversor de tres niveles
Corriente del Colector Continua200A
Corriente de Colector DC200A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)600V
Voltaje de Saturación Colector Emisor600V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo900mV
Diseño de TransistorSEMITRANS 5
No. de Pines18Pines
Terminación del IGBTPerno
Tecnología IGBTIGBT 3 [Zanja]
Voltaje Máx. Colector a Emisor900mV
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Inversor de tres niveles
Corriente de Colector DC
200A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
600V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Diseño de Transistor
SEMITRANS 5
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
900mV
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
200A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
600V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
900mV
No. de Pines
18Pines
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Zanja]
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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