Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM150GB12VCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark55X3188
Su número de pieza
40 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $294.290 |
| 5+ | $279.750 |
| 16+ | $264.740 |
| 32+ | $253.970 |
| 56+ | $243.450 |
| 104+ | $222.520 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$294.29
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM150GB12VCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark55X3188
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua231A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTV-IGBT
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Resumen del producto
The SKM150GB12V is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
231A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75V
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
V-IGBT
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
