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SKM100GB12T4
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM100GB12T4
No. Parte Newark55X3181
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $136.170 |
| 5+ | $133.630 |
| 16+ | $130.970 |
| 32+ | $129.640 |
| 56+ | $128.350 |
| 104+ | $123.120 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM100GB12T4
No. Parte Newark55X3181
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua160A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.8V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 Fast [Trench]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
160A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
IGBT 4 Fast [Trench]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SKM100GB12T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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