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SKM100GB125DN
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM100GB125DN
No. Parte Newark55X3183
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM100GB125DN
No. Parte Newark55X3183
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua100A
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor3.3V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTNPT IGBT [Ultrafast]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
3.3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente del Colector Continua
100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
NPT IGBT [Ultrafast]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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