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SKM 195 GAL 063DN
Módulo IGBT, 250 A, 2.5 V, 960 W, 150 °C, SEMITRANS 2
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM 195 GAL 063DN
No. Parte Newark88K1190
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semanas
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM 195 GAL 063DN
No. Parte Newark88K1190
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBT-
Corriente del Colector Continua250A
Corriente de Colector DC250A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)600V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.5V
Disipación de Potencia960W
Disipación de Potencia Pd960W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorSEMITRANS 2
No. de Pines5Pines
Terminación del IGBTPerno
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Tecnología IGBTNPT IGBT [ultrarrápido]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
250A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
600V
Disipación de Potencia
960W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
No. de Pines
5Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
-
Corriente de Colector DC
250A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.5V
Disipación de Potencia Pd
960W
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Diseño de Transistor
SEMITRANS 2
Terminación del IGBT
Perno
Tecnología IGBT
NPT IGBT [ultrarrápido]
Rango de Producto
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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