Imprimir página
SKM 100GAL123D
Módulo IGBT, 100 A, 3 V, 150 °C, Module
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
No está disponible
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM 100GAL123DCopiar
No. Parte Newark88K1990
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBT-
Corriente del Colector Continua100A
Corriente de Colector DC100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Voltaje de Saturación Colector Emisor3V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPerno
No. de Pines5Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTNPT IGBT [ultrarrápido]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración IGBT
-
Corriente de Colector DC
100A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
3V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
No. de Pines
5Pines
Tecnología IGBT
NPT IGBT [ultrarrápido]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto