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TT8K2TR
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, TSST
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteTT8K2TR
No. Parte Newark10AC9308
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.09ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.09ohm
Diseño de TransistorTSST
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.25W
Disipación de Potencia de Canal P1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.09ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.25W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.09ohm
Diseño de Transistor
TSST
Disipación de Potencia de Canal N
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto