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SP8K32FRATB
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, SOP
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSP8K32FRATB
No. Parte Newark58AC4126
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.065ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.065ohm
Diseño de Transistor
SOP
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto