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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSH8MA3TB1
No. Parte Newark29AK7497
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.040 |
| 10+ | $0.795 |
| 25+ | $0.731 |
| 50+ | $0.667 |
| 100+ | $0.604 |
| 250+ | $0.548 |
| 500+ | $0.492 |
| 1000+ | $0.432 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSH8MA3TB1
No. Parte Newark29AK7497
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.028ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.05ohm
Diseño de TransistorSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.8W
Disipación de Potencia de Canal P2.8W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
7A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.05ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.8W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.028ohm
Diseño de Transistor
SOP
Disipación de Potencia de Canal N
2.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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