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| 5+ | $59.240 |
| 10+ | $57.540 |
| 25+ | $56.680 |
| 50+ | $55.850 |
| 100+ | $52.500 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCZ4011KTAC23Copiar
No. Parte Newark99AM6703
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id106A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015ohm
Diseño de TransistorDOT-247
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.8V
Disipación de Potencia361W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
106A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
DOT-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
361W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto

