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SCT4026DWAHRTL
SIC MOSFET, N-CH, 750V, 51A, TO-263-7
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $16.040 |
| 10+ | $12.110 |
| 25+ | $11.810 |
| 50+ | $11.510 |
| 100+ | $11.210 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT4026DWAHRTL
No. Parte Newark94AK7720
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id51A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034ohm
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.8V
Disipación de Potencia150W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
51A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
150W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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