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RX3N10BBHC16
MOSFET, N-CHANNEL, 80V, 225A, TO-220AB
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FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark22AM1054
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.910 |
| 10+ | $4.250 |
| 25+ | $4.140 |
| 50+ | $4.020 |
| 100+ | $3.900 |
| 250+ | $3.710 |
| 500+ | $3.500 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRX3N10BBHC16Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark22AM1054
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id225A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2200µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia189W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
225A
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
189W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2200µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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