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RV2C002UNT2L
MOSFET Transistor, N Channel, 180 mA, 20 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.405 |
| 10+ | $0.257 |
| 25+ | $0.228 |
| 50+ | $0.199 |
| 100+ | $0.170 |
| 250+ | $0.152 |
| 500+ | $0.133 |
| 1000+ | $0.121 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRV2C002UNT2L
No. Parte Newark71Y9259
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id180mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Diseño de TransistorVML1006
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia100mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
VML1006
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
100mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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