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RUM001L02T2CL
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 100 mA, 3.5 ohm, VMT, Montaje Superficial
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRUM001L02T2CL
No. Parte Newark10AC8981
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.309 |
| 10+ | $0.186 |
| 25+ | $0.149 |
| 50+ | $0.113 |
| 100+ | $0.076 |
| 250+ | $0.075 |
| 500+ | $0.074 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRUM001L02T2CL
No. Parte Newark10AC8981
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.5
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorVMT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.5
Diseño de Transistor
VMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza RUM001L02T2CL
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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