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RSM002N06T2L
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 0.25A, VMT ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 8000+ | $0.091 |
| 16000+ | $0.086 |
| 32000+ | $0.082 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 8000
Múltiple: 8000
$728.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRSM002N06T2L
No. Parte Newark01AM0466
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id250mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.7ohm
Diseño de TransistorVMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3V
Disipación de Potencia150mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.-
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
250mA
Diseño de Transistor
VMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150mW
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.7ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza RSM002N06T2L
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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