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RS7G200CGTB1
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, DFN5060-8S ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.290 |
| 10+ | $4.750 |
| 25+ | $4.420 |
| 50+ | $4.080 |
| 100+ | $3.640 |
| 250+ | $3.050 |
| 500+ | $2.940 |
| 1000+ | $2.810 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRS7G200CGTB1
No. Parte Newark51AM2257
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id200A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente640µohm
Diseño de TransistorDFN5060-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia216W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200A
Diseño de Transistor
DFN5060-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
216W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
640µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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