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RS6G122CHTB1
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, HSOP ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.380 |
| 10+ | $2.320 |
| 25+ | $2.120 |
| 50+ | $1.910 |
| 100+ | $1.710 |
| 250+ | $1.600 |
| 500+ | $1.490 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRS6G122CHTB1
No. Parte Newark26AM8832
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1200µohm
Diseño de TransistorHSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Diseño de Transistor
HSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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