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RS1N110ATTB1
MOSFET, P-CHANNEL, 80V, 43A, HSOP
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.140 |
| 10+ | $2.040 |
| 25+ | $1.830 |
| 50+ | $1.620 |
| 100+ | $1.410 |
| 250+ | $1.300 |
| 500+ | $1.180 |
| 1000+ | $1.130 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRS1N110ATTB1Copiar
No. Parte Newark03AM2891
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id43A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021ohm
Diseño de TransistorHSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia40W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
43A
Diseño de Transistor
HSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
40W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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